中科院微電子所在“熱電堆傳感器配套芯片”項目中取得成果

由*微電子研究所集成電路先導(dǎo)工藝中心(十室)牽頭，集成電路與系統(tǒng)研究室(二室)混合信號模擬IP團隊承擔(dān)的“熱電堆傳感器配套芯片”課題，近日完成熱電堆模擬前端及高精度溫度傳感器芯片測試。測試結(jié)果顯示，芯片在功能和性能上均達到較高水平，是目前國內(nèi)針對熱電堆應(yīng)用的高性能集成電路芯片。

近年來隨著紅外傳感技術(shù)的不斷進步，采用微機械系統(tǒng)(MEMS)技術(shù)制作的非致冷熱電堆紅外探測器以其能耗低，重量輕，體積緊湊、開機預(yù)熱時間短和成本低等優(yōu)點而倍受關(guān)注。且因其制作工藝與標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝兼容、結(jié)構(gòu)簡單、可靠，易于與外圍信號處理電路進行單片集成等特點，更是成為了工業(yè)界和科研單位研究的熱點。

在二室主任黑勇研究員的規(guī)劃指導(dǎo)下，由胡曉宇副研究員、范軍、陳鋮穎組成的模擬IP項目組對熱電堆外圍配套芯片關(guān)鍵技術(shù)展開研究，在本課題中成功完成了低噪聲低失調(diào)模擬前端以及高精度溫度傳感器的芯片。測試結(jié)果表明，該芯片性能達到國內(nèi)*水平。其中低噪聲低失調(diào)模擬前端采用斬波技術(shù)，包括低噪聲低失調(diào)運算放大器以及高精度Sigma-Delta模數(shù)轉(zhuǎn)換器。測試結(jié)果顯示，該芯片有效檢測精度達到9bit，在-40~125℃溫度范圍內(nèi)，模擬前端放大增益線性度變化僅為4.5%。在高精度溫度傳感器設(shè)計中，項目組充分考慮了運算放大器失調(diào)、BJT失配、電流鏡失配、BJT工藝誤差、后端量化電路失調(diào)等非理想因素，采用離散時間的工作方式，結(jié)合分時平均的控制測量思路，結(jié)合BJT增益非線性校正、器件失配校正等技術(shù)，zui終完成了設(shè)計。通過溫箱測試，該溫度傳感器在20～125 ℃范圍內(nèi)，檢測精度控制在±0.1℃以內(nèi)。

目前，項目組重點突破了部分低噪聲、低失調(diào)模擬前端關(guān)鍵技術(shù)，并以此為基礎(chǔ)，進一步探索高性能熱電堆傳感器單芯片集成技術(shù)，為開展高性能的紅外傳感器配套芯片和產(chǎn)業(yè)化奠定了良好的基礎(chǔ)。